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市调公司反击IntelFDSOI制程整体费效比优于体硅

发布时间:2020-03-23 12:13:50 阅读: 来源:水泥仓顶除尘器厂家

市调公司IC Knowledge称,根据他们最近完成的一次"周密的"制程成本分析,在22nm及更高级别节点制程,FDSOI制程相比体硅制程的整体费效比更高。

IC Knowledge的总裁Scotten W. Jones表示:“FDSOI在制程简化方面优势很大,因此除性能更优秀以外,其相比体硅制程还同时具有更高的本钱竞争力。而使用FDSOI制程生产芯片产品的工步数更少则是FDSOI整体费效比优秀的主要原因。”虽然与离子注入有关的本钱在芯片制造总成本中所占的比率相对较低,但FDSOI在减少离子注入工步,与离子注入准备用掩膜板数量方面的优势特别明显。由于FDSOI产品制造环节更少,因此简化了芯片的制造进程。在进行这次制程成本分析进程中,IC Knowledge与Soitec即著名的SOI/FDSOI晶圆供应商进行了合作,定义了面向22nm节点制程的3种经常使用芯片制造工艺流程,并对其各自的本钱进行了详细的分析。这三种工艺流程包括一种采取体硅制程的工艺流程,两种采取FDSOI制程的工艺流程,而两种FDSOI工艺流程中,其一为采取离子注入技术进行漏源极搀杂(针对传统的漏源极设计),而另外一种则使用就地搀杂技术对漏源极进行杂质搀杂(针对RSD即Raised Source/Drain设计)。在对所有这三种工艺流程进行定义时,对其所生产器件的性能参数也进行了定义,如器件的门限电压,栅极和栅绝缘层,浅槽隔离结构,所用的沟道应变工程技术等等,栅极结构则被定义为统一采取gatelast HKMG工艺制作;互联层方面,则采取8层金属层的定义,最后工艺的运用范畴被定义为面向SOC芯片制作。另外,SOI晶圆的采购本钱则被定义为500美元/片,体硅晶圆的采购价则被定义为极低的130美元/片。完成工艺流程的参数定义以后,IC Knowledge采取其自己研制的战略本钱模型(Strategic Cost Model),摹拟了将这些工艺流程于2012年应用到台湾某家月产量为3万片的芯片生产厂的成本费用进行了评估。评估进程中斟酌了诸多细节因素,如前面提到的不同种类晶圆的采购本钱,劳动力本钱,资产贬值率,装备保护本钱,水电气本钱,光刻用掩膜板本钱等等。这些细节参数是根据 IC Knowledge公司从全球多家芯片厂所搜集的数据进行定义的。最后的分析结果是,经济性最高的方案是采取FDSOI+漏源极就地搀杂技术的组合,其本钱大约为每片晶圆3000美元。不仅如此,两种采取FDSOI工艺流程的本钱都要比采取体硅制程的本钱要不少。研究还发现,采取离子注入方法制作漏源极的FDSOI制程,在本钱方面与体硅制程仅相差1%。由于这次的研究重点在于工艺的本钱,因此并没有对低漏电,高速器件运用类型进行本钱比较,而且也没有分析FDSOI和体硅制程在22nm及以上制程节点被用于制作多栅器件时的本钱比较。PS:不久前Intel的制程专家Mark Bhor曾批评FDSOI晶圆成本太高且不容易制造,这次IC Knowledge站出来讲话,算是对Bhor的一个正式回应,大有“我们这可是经过仔细计算的,不像您老满嘴跑火车。”的反击之意。CNBeta编译原文:semimd

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